型号:

EMG9T2R

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Rohm Semiconductor描述:TRANS DUAL NPN 50V 50MA EMT5
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
EMG9T2R PDF
产品目录绘图 EMT-5 Package Top
标准包装 1
系列 -
晶体管类型 2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧) 10k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) 10k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 30 @ 5mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) 300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大) 500nA
频率 - 转换 250MHz
功率 - 最大 150mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 EMT5
供应商设备封装 EMT5
包装 标准包装
产品目录页面 1642 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 EMG9T2RDKR
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